型号 | 制冷方式 | 光敏面积 | 光学增强 | 封装 | 最大入射角 | 窗口片 |
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PVI-3TE-10.6-0.5x0.5 | 3TE,Tchip≈210K | 0.5mm x 0.5mm | 有 | TO8或TO66 | ~36° | wZnSeAR (3°硒化锌楔形窗口, 防反射镀膜) |
PVI-4TE-10.6-0.5x0.5 | 4TE,Tchip≈198K | |||||
PVI-4TE-10.6-1x1 | 1mm x 1mm |
型号 | 波长范围 | 峰值波长 | 探测率 | 电流响应度 | 时间常数 | 动态电阻 | ||
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λcut-on~λcut-off | λpeak | D*(λpeak,20KHz) | D*(λspec,20KHz) | Ri@λpeak | Ri@λspec | τ | Rd | |
μm | μm | cm·Hz1/2/W | A/W | ns | Ω | |||
PVI-3TE-10.6-0.5x0.5 | 3.0~12.0 | 8.0±1.0 | 2.0x109 | ≥1.5x109 | 0.9 | ≥0.7 | 10 | ≥20 |
PVI-4TE-10.6-0.5x0.5 | 4.0x109 | ≥2.0x109 | 1.0 | 0.5 | 25 | |||
PVI-4TE-10.6-1x1 | ≥5 |